最后，我国在半导体设备领域实现了部分国产化，但最核心的设备仍然差距明显。具体来看，我国半导体去胶设备已实现较高水平的国产化；刻蚀机方面与国际先进的水平差距正不断缩小；清洗设备、薄膜沉积设备、离子注入机等方面实现了少量的国产化；涂胶显影机、CMP（化学机械抛光）设备已研发成功且实现量产供货，打破了外资垄断；但是高端光刻机仍然处于空白。光刻工艺直接决定芯片制程和性能，是芯片制造环节最关键的工艺步骤，而光刻机是核心设备，处于高度垄断状态，其技术含量之高、结构之复杂，被誉为“现代工业皇冠上的明珠”，尤其是最先进的EUV光刻机，仅荷兰的阿斯麦（ASML）能够量产。中国的高端光刻机完全依赖进口，且最先进的EUV光刻机属于被“封锁”状态，自主研发的光刻机虽然取得了一定进展，但在制程上仍然有差距，实现追赶任重而道远。
（二）智能仪器仪表、传感器
检测、显示信息的智能仪器仪表、检测终端是“万物发声”的关键。要在五大性能指标上达到要求：一是灵敏度，二是准确性，三是可靠性，四是能耗，五是安全性。如果没有以传感器和检测芯片为基础的高性能智能仪器仪表、检测终端，智能制造就是空中楼阁。我国在这方面与欧美、日本的差距，比芯片领域的差距还要大。有数据显示，美国的仪器仪表、检测系统的产值只占工业总产值的4%，但却带动美国60%的工业实现了工业自动化。
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